1991_MST-Berlin

Bildunterschriften für FEM-Poster:	(MST '91, Berlin)


Abb. 1:	Radialer Spannungsverlauf an der Oberfläche einer <100>-Siliziummembran unter Druckbeaufschlagung. Der Verlauf ist von der Einspannung der Membran abhängig. Im Vergleich zum Spannungsverlauf auf einer ebenen Platte wandern durch die schräge Einspannung der {111}-Ebenen die Zugspannungsmaxima in den Membranbereich hinein.

Abb. 2:	Spannungs-Druck-Kennlinien von ebenen und strukturierten Siliziummembranen. Die strukturierte Boss-Membran weist aufgrund des verstärkten Mittelteils kleinere Membranauslenkungen auf, sodaß eine verbesserte Linearität erreicht wird.

Abb. 3:	Amplitudenspektrum einer Siliziummembran bei zentraler Schwingungsanregung.

Abb. 4:	Modenspektrum einer Quarz-Doppelstimmgabel. Neben den niederfrequenten Biegeschwingungen treten mit zunehmender Frequenz überlagerte Schwingungszustände (z.B. Torsionsschwingungen) auf.

Abb. 5:	Kraft-Frequenz-Kennlinien frequenzanaloger Silizum-Kraftsensoren mit unterschiedlichen Resonatordicken. Die Erhöhung der Kraftempfindlichkeit ist mit einer Verschlechterung der Kennlinienlinearität verbunden.

Abb. 6:	Darstellung des frequenzabhängigen Impedanzverlaufes eines Silizium-Piezokeramik-Bimorphs. Die Schwingungsanregung der Siliziummebran geschieht piezoelektrisch durch die hybrid aufgeklebte Piezokeramik.